TSM4435BCS RLG
Número de Producto del Fabricante:

TSM4435BCS RLG

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

TSM4435BCS RLG-DG

Descripción:

MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 9.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Inventario:

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TSM4435BCS RLG Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
21mOhm @ 9.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TSM4435BCS RLGDKR
TSM4435BCS RLGDKR-DG
TSM4435BCSRLGCT
TSM4435BCSRLGDKR
TSM4435BCSRLGTR
TSM4435BCS RLGCT
TSM4435BCS RLGTR
TSM4435BCS RLGTR-DG
TSM4435BCS RLGCT-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
TSM085P03CS RLG
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
17000
NÚMERO DE PIEZA
TSM085P03CS RLG-DG
PRECIO UNITARIO
0.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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